发光快报

中国科学院长春物理研究所《发光快报》编委会

发光快报 1985年第1、2期

分类	篇名	作者	页码
综述	1984年国际发光会议	许少鸿	1
工作报告	ZnS:Mn,Cu交流电致发光材料的发光特性	孙玉琴等	4
工作报告	脉冲染料激光器的调谐装置	王政珊等	6
半导体光电器件	SiC蓝色发光二极管的进展	—	—
半导体光电器件	一种低压高效率的ZnSc蓝色发光管	—	—
半导体光电器件	大功率超晶格半导体激光器	—	—
半导体光电器件	单模光纤通讯研究动态太阳光发电的现状	—	—
发光器件	半导体发光器件	徐保度	25
发光材料	投影管用绿色磷光体	—	—
发光材料	单枪彩管用超线性红粉红色电致发光和ZnS:SmF₂薄膜的结晶性	—	—
发光材料	LiNbO₃单晶的阴极射线发光	—	—
显示显象	矩阵型大屏幕AC等离子显示	章爱民等	28
显示显象	新型FINLUX显示器巨型高亮度露天彩色显示立体显示屏幕	—	—
新技术	利用核嬗变掺杂磷化镓采用蒸发Zn₃P₂方法的新的开管扩散工艺	—	—
新技术	CdTe薄膜的电沉积及其特性	—	—
新技术	彩屏阴罩的双面蚀孔	—	—
光源与照明	内装启动元件的PL灯紧凑荧光灯	—	—
光源与照明	细管荧光灯的正光柱特性	—	—
消息	会议消息、小资料、新书介绍、光电市场、近期外文资料索引	—	—
消息	D.居里教授撰文悼念F.威廉姆斯教授	—	—

发光快报 1985年第3期

分类	篇名	作者	页码
综述	可见光半导体激光器	朴友植	1
显示器件	发光层内的干涉和它在EL中的应用	—	6
半导体光电技术	利用热敏发色反应的多层次记录高亮度光学存贮器	—	12
半导体光电技术	日本大阪府立大学教授粤田首次用硒化锌制成蓝色发光二极管	—	13
半导体光电技术	低阈值高效率面发射GaInAsP/InP激光器	—	14
新技术	新的激光源技术	—	15
新技术	专利选报	—	20
索引	近期外文资料索引	—	33

发光快报 1985年第4期

分类	篇名	作者	页码
综述	半导体激光放大研究进况	张月清	1
研究报告	在ZnSc单晶中束缚激子	黄锡珉	6
光电技术	光电技术	—	9
发光材料	近年发光材料研究动态	—	15
发光材料	白色光混合荧光粉及其在CRT中的应用	—	16
发光材料	高亮度放电管式超巨型彩色显示用电视装置作为显示屏的家用控制系统的特性	—	19
发光材料	双色的阵列航空信号	—	33
实验技术	微微秒瞬态光谱学方法简介	戴仁崧	23
实验技术	单光子计数中最佳脉冲重复频率的选择	—	27
实验技术	净化室设计技术	—	29
消息	固体中激发态的动力学过程第五届国际会议	—	32
消息	1986年第6届国际显示研究会议	—	32
消息	专利选报、小资料、近期外文资料索引	—	—

发光快报 1985年第5期

分类	篇名	作者	页码
综述	光合作用原初光反应简介	黄世彝	1
工作报告	GaN半导体材料制备现状	富淑清	3
显示器件	彩色灯泡大画面显示屏	—	7
显示器件	阴极射线管大型图像显示装置	—	11
发光材料	各种灯用荧光粉的相对量子效率	—	15
新技术	朗缪薄膜在电子学中的应用	—	23
消息	美国加州大学J.L.Merz教授到长春物理所等单位访问	—	27
消息	微机控制的交流电致发光矩阵大屏幕显示器	—	29
消息	微机控制的直流电致发光矩阵大屏幕显示器	—	29
消息	1986年国际会议预报	—	30
消息	日本化成荧光粉、专利选报、新书介绍、近期文献索引	—	42

发光快报 1985年第6期

分类	篇名	作者	页码
综述	纤维光学传感器在生物医学中的应用	—	1
工作报告	GaN中的杂质行为	谢江峰	4
发光器件	长波长发光二极管	—	7
发光材料	电致发光荧光粉的处理方法	—	10
发光材料	ZnSe蒸发薄膜的性质	—	15
显示器件	新发光器件特大画面显示装置	—	18
新技术	光激活分子层外延技术	—	20
消息	专利选报、新书介绍、近期外文资料索引	—	31

1986年第1—2期

文章类型	题目	作者	页码
综述	GaN发光的几个物理问题	孙亚莉	1
综述	全颜色EL显示的进展	—	4
综述	近年来发光材料发展动态	—	7
综述	荧光灯照明能否致癌的争论	唐明道	8
器件	用双π环戊二烯基锰体作为新锰源，由等离子体辅助MOCVD制备ZnSe:Mn直流电致发光器件	—	10
发光材料	稀土硫氧化物荧光体	—	11
发光材料	荧光体的制备方法	—	14
发光材料	Ca3La2Te2O12中三价稀土的光致发光和敏化红外发光	—	15
发光材料	抗氧化荧光体的制备方法	—	20
发光材料	灯用荧光粉	—	22
发光材料	阴极射线管用荧光粉	—	23
发光材料	ZnS系荧光粉	—	24
发光材料	x射线像转换器	—	27
发光材料	阴极射线管荧光屏的制作方法	—	29
发光材料	荧光体及其制备方法	—	31
发光材料	卤磷酸钙荧光粉	—	37
发光材料	显像管	—	39
器件	高压装置摇床加工法的探讨	尚冰洋	40
器件	双活塞式金刚石对顶砧压机	尚冰洋	41
会议	美国电化学学会1985年春季会议文摘选编	—	42
消息	会议消息	—	44
专利	专利选报	—	49
产品	新产品	—	60
索引	近期外文资料索引	—	61

发光快报 1986年第3期

分类	篇名	作者	页码
工作报告	微微秒光脉冲宽度测量	李多禄、田乃良	1
发光材料	以SrS为基质的新型电致发光材料	—	5
发光材料	氧化钇—二氧化硅系荧光粉的研究	—	7
发光器件	碱土金属硫化物的多颜色薄膜电致发光显示器件	—	9
发光器件	ZnS:Tb,F薄膜EL器件	—	11
工艺技术	分子束外延技术	—	13
工艺技术	MOCVD生长技术	—	18
工艺技术	26毫米直径荧光灯的亮度调节	—	18
工艺技术	ZnSe和ZnTe原子层外延的生长过程	—	21
工艺技术	InP衬底MBE生长的ZnSe-ZnTe应力层超晶格	—	23
工艺技术	ZnSe-ZnTe应力超晶格的喇曼散射	—	24
工艺技术	闭管气相生长掺铝ZnTe	—	24
工艺技术	SiO₂窗口MBE的GaAs选区外延	—	25
工艺技术	开管扩硫获得的高迁移率GaAs层	—	25
工艺技术	激光扩散锡实现n-GaAs层上的非合金欧姆接触	—	26
工艺技术	菲利普公司用分子束外延发展器件工艺	—	26
工艺技术	具有干蚀刻镜面的低阈值分子束外延GaAs/AlGaAs量子阱激光器	—	27
工艺技术	极低阈值电流脊型波导AlGaAs/GaAs单量子阱激光器	—	28

发光快报 1986年第4期

分类	篇名	作者	页码
综述	光计算机研究的进展	许承杰	1
工作报告	激发TFEL的新型电路	杨忠义、苗雨春	—
工作报告	合理使用光子计数器检测光信号	郑著宏	—
发光材料	MOCVD外延GaInAs的光致发光	—	12
发光材料	在GaAs衬底上MOCVD生长的CdTe光致发光	—	—
发光材料	化合物半导体超晶格结构	—	—
发光器件	高效高调制带宽(Ga,Al)As:Te,Zn缓变结发光二极管	—	—
发光器件	GaAs/AlGaAs MQW带间跃迁的光反射特性和调制掺杂异质结	—	—
发光器件	GaInAs/AlInAs量子阱发光谱线加宽的机理	—	—
发光器件	室温连续AlGaInP台面条型激光器	—	—
发光器件	1.55μm InGaAsP低阈值掩埋新月型注入激光器	—	—
发光器件	大面积电致发光显示器	—	—
发光器件	后沉积退火对ZnS:Mn交流薄膜电致发光器件电—光特性和微结构的影响	—	—
发光器件	发光二极管(LED)及其应用	—	—
发光器件	用液相外延技术在GaAs₀.₇P₀.₃₁衬底上生长晶格匹配的GaInP低阈值可见光激光器	—	—

发光快报 1986年第5期

分类	篇名	作者	页码
综述	对显示用发光材料的发展及现状的评论（I.阴极发光粉）	—	1
综述	光计算机研究的进展：光学矩阵乘法器（上）	许承杰	9
工作报告	顺式和反式聚乙炔的发光特性	金长清、刘学颜、张新夷	16
发光材料	苏联工业发光粉的品种和质量	—	19
发光材料	以低压MOVPE法在GaAs衬底上生长的ZnSe-ZnS₀.₀₄Se₀.₉₆应力层超晶格的蓝色发光	—	25
发光材料	CaS:Cu,Na长余辉荧光粉	—	28
发光材料	人造半导体超晶格和量子阱结构	—	29
发光材料	一种新型的薄膜电致发光材料——碱土硒化物SrSe	—	33
发光器件	稀土注入ZnS和ZnSe二极管的电致发光	F.J.Bryant等	37
发光器件	薄膜电致发光显示	G.D.Muller、R.Mach	43
发光器件	在硅衬底上用MOCVD技术制作可见光(700nm)AlGaAs异质结发光二极管	—	48
工艺方法	荧光灯的制作方法	—	49
工艺方法	荧光灯损失因数	—	51
消息	1987年国际会议预报（一）	—	55
消息	用电泳法制作多色电致发光屏（罗宗铁等人）	—	57
消息	专利选报、近期外文资料索引	—	66

发光快报 1986年第6期

分类	篇名	作者	页码
综述	ZnS二极管的发光与光电特性（上）	—	1
材料	Nd³⁺:LaF₃真空紫外激光辐射	—	6
材料	在InP衬底上生长高纯度的GaInAs特性和有机金属气相生长	—	8
材料	用光致发光光谱来检测GaAs-GaAlAs多量子阱结构的界面质量	—	10
材料	制备超平金属膜层的激光微区熔融	—	12
材料	HgTe-CdTe超晶格光学特性	—	13
材料	用低压MOCVD生长的Ga₀.₄₇In₀.₅₃As₀.₅P₀.₅/InP异质结构超晶格和量子阱中的二维电子气	—	15
材料	HgTe-CdTe超晶格的层间混杂	—	17
材料	(Zn,Mn)Se超晶格的非线性激子吸收	—	19
材料	由氮化物发光材料制成的发光屏	—	21
器件	温度/光传感器	—	24
器件	用CaS:Eu薄膜制作高亮度红色电致发光器件	—	26
器件	4.5nm X射线电视摄像机	—	28
器件	用于极微量探测的光学隧穿传感系统	—	30
器件	一种新型低功率金属碱卤灯	—	32
器件	SrS:CeCl薄膜的高亮度蓝色EL	—	36
器件	具有ZnS:Tb,F激活层高亮度绿光发射电致发光器件	—	39
显示技术	适于多种用途的下一代液晶显示	—	41
显示技术	军用实时彩色数字式地图	—	43
各种技术	ALE ZnSe单晶薄膜的PL性质	—	46
各种技术	激光取样测出最高速晶体管	—	48
各种技术	MOCVD外延薄膜的批量生产	—	48
消息	专利选报、近期外文资料索引	—	—

1987年第1期

文章类型	题目	作者	页码
工作报告	平面管型LDE-NKX-I型智能显示系统	郭晨光、扬忠义	1
综述	ZnS二极管的发光与光电特性	(中)	5
发光材料	近年来发光材料发展概况		13
发光材料	卤磷酸钙荧光粉的制备方法		14
发光材料	高纯InCaAs,InP和InGaAs/InP多层结构的气相外延生长		16
发光材料	用分子束外延在ZnSe上生长体心立方(bec)a-Fe单晶		20
发光材料	用金属有机化学气相沉积在Si上的外延生长ZnS		23
器件	含有SrS:Cl/ZnS:Mn双磷光体层的白色薄膜电致发光(EL)器件		25
器件	激光光学测量速度为皮秒的电子器件		27
器件	PLZT薄膜光电器件		28
技术	磷酸钕玻璃激光器可产生皮秒脉冲		29
技术	快速热退火显著改善MBE GaAs外延层质量		30
技术	超小结构刻蚀量子阱的光学特性		31
技术	CBE技术制备低阈值DH和MQW激光器		32
技术	MOCVD在金属锯齿形GaAs表面制备p-n结		52
技术	GaAs衬底III-V族单晶的激光直接书写		33
技术	SL MOVPE技术分步单层生长GaAs		34
技术	测量新技术:电场的连续电-光探测		35
技术	GaAsP/GaAs异质结的MOCVD生长机理		37
技术	低温汽相生长CdTe		40
技术	化学束外延技术		43
新产品	真空荧光显示器		45
新产品	接触屏汉语字符处理机投入使用		45
消息	腔镜面散射补偿飞秒脉冲激光器的线性调频脉冲		46
消息	西德开发新型电视电话		46
消息	市售GaAlAs激光管实现空中通信		47
消息	快速高压半导体电子开关		47
消息	恒温半导体激光二极管组件		47
消息	He-Ne激光器检查印刷线路板		48
消息	用准分子激光器消除半导体表面氧化物		48
消息	半导体激光排版机		48
消息	准分子激光器用于光刻		48
消息	CAD/CAM扫描器		49

发光快报 1987年第2期

分类	篇名	作者	页码
综述	薄膜电致发光材料	—	1
综述	ZnS二极管的发光与光电特性（下）	—	10
发光材料	几种稀土离子在LaO中的发光	—	20
发光材料	长寿命电致发光(Zn,Cd)S:Cu,Bi材料	黄锡珉、张志舜	25
发光材料	ZnSe:Al的深能级的研究	王吉丰、黄锡珉、张志舜	26
发光材料	二价铕激活的卤硼磷酸盐荧光粉	—	29
发光材料	M₃(PO₄)₂(M=Sr,Ba)中Ce³⁺和Tb³⁺的发光	—	31
发光材料	光致发光	—	34
材料	晶格错合对在GaAs衬底上用原子层外延方法生长的ZnSe晶格参数和光致发光性质的影响	—	36
材料	ZnO基质荧光粉的新合成方法及其发光	—	—
器件	激光雷达在日本的作用	—	41
器件	近年来固体发光器件发展概况	—	45
器件	薄膜电致发光器件的激发机理	—	45
器件	SnO₂-ZnS-Cu₂S-ZnS:Mn-Al电致发光薄膜元件中能量传递的模型	—	48
消息	1986年西德汉诺威国际博览会	—	51
消息	专利选报、近期外文资料索引	—	54

发光快报 1987年第3期

分类	篇名	作者	页码
综述	紧凑型荧光灯	—	1
综述	稀土掺杂的碱土金属硫化物交流电致发光薄膜研究现状和前景	李长华、钟国柱	6
综述	大功率半导体激光器（相干阵列激光器）的发展	袁右荣	11
材料	CdTe单晶的光致发光	林革、景玉梅、黄锡珉	14
材料	CdTe单晶的电学性能	景玉梅、林革、黄锡珉	14
材料	ZnS蒸发膜的光感应表面形貌改善和择优取向增强	—	15
器件	具有增强对比度层的Y₂O₃:Eu透明CRT薄膜屏	—	16
器件	AlGaAs高亮度发光二极管在汽车工业中的前景	—	18
器件	可用于印刷业的薄膜电致发光器件	—	19
器件	高响应速度平面掩埋InP/GaInAs p-i-n光电二极管	—	20
器件	延长薄膜电致发光平板屏的寿命	—	20
器件	磁调谐稀磁半导体(Cd,Mn)Te量子阱激光器	—	21
器件	GaAlAs红光二极管表面氧化作用引起的性能衰退及其预防	—	24
照明技术	电照明中的低频电磁辐射和光谱不影响人的肌肉力量	—	26
照明技术	RF启动器及其在小型金属碱卤灯上的应用	—	29
消息	近期外文资料索引	—	36

发光快报 1987年第4期

分类	篇名	作者	页码
综述	卤磷酸钙荧光粉的应用特性	唐明道	1
综述	新型发光材料的物理性质	—	6
材料	硫化铜在交流电致发光粉老化机理中的作用	—	14
器件	单片集成GaInAsP/InP面发光激光器二维阵列	—	17
器件	YAG:Nd激光器的新进展	—	20
器件	发红光的CaS:Eu薄膜EL器件随时间变化	—	21
器件	具有荧光粉图形的多色薄膜电致发光器件	—	22
技术	激光写入的大面积光集成术(ICS)	—	27
技术	人的因素和平面显示技术将动摇CRT的统治地位	—	28
技术	减压甲基化合物MOCVD制备优质ZnSe薄膜	—	30
技术	光计算——似近仍远的新技术	—	31
消息	专利选报、小资料、近期外文资料索引	—	39

发光快报 1987年第5-6期

分类	篇名	作者	页码
工作报告	农用光物理技术	唐树延	1
工作报告	注入Ho³⁺离子的ZnS薄膜的交流电致发光	孟立建等	3
工作报告	7×7交流矩阵屏电感驱动的实验报告	王洪流等	5
综述	新型稀土掺杂I-V族半导体发光与激光器件研究进展	周济等	7
综述	罗丹明染料的光学性质	谷至华	8
器件	平板显示技术的概述	—	12
器件	有源矩阵液晶显示器	—	19
器件	荧光显示管	—	22
器件	液晶彩色电视3C-E1	—	26
材料	高性能显示材料技术开发新动向	—	30
材料	Cu₂S在ACEL粉老化机理中作用	—	39
技术	利用平板显示器识别透明片上的手迹	—	34
消息	荧光灯保护层	—	42
消息	薄膜光导-电致发光记忆器件	—	43
消息	量子阱分布布喇格反射半导体激光器	—	44
消息	SrS:Ce,K蓝色薄膜电致发光器件中的记忆效应	—	45
消息	表面量子阱	—	47
消息	新书介绍、近期外文资料索引	—	55

发光快报 1988年第1期

分类	篇名	作者	页码
综述	新型发光材料的物理性质	—	1
工作报告	电压穿透式多色显示用包膜粉的研制	杨淑君、周映雪	7
材料	硫化铜在交流电致发光粉老化机理中的作用	—	10
材料	InP中钒的光谱研究	—	14
材料	发光材料发展动态	—	17
材料	存贮荧光粉X射线成像：图象质量	—	19
材料	Eu³⁺和Eu²⁺在新的BaLnB₉O₁₆硼酸盐中的发光	—	23
材料	从Se和/或As溶剂中生长的ZnSe单晶的光致发光(PL)及形态	—	28
材料	Ca₃La₂W₂O₁₂:Mn和Ca₃La₂Te₂O₁₂:Mn的发光	—	30
器件	固体发光元件发展动态	—	32
器件	I-V族半导体最佳高速耗尽边转换型相移光波导调制器	—	34
器件	680nm (AlGaAs)ₘ(GaAs)ₙ低阈值室温连续超晶格量子阱激光器	—	36
器件	有机电致发光二极管	—	38
器件	InGaAsP/InP双极晶体管与DH激光器的垂直集成	—	40
消息	新产品、消息、新书介绍、近期外文资料索引	—	—

发光快报 1988年第2-3期

分类	篇名	作者	页码
荧光灯和灯用荧光粉	低压汞蒸汽放电灯	—	1
荧光灯和灯用荧光粉	卤磷酸盐荧光粉和荧光灯	—	5
荧光灯和灯用荧光粉	荧光灯	—	8
荧光灯和灯用荧光粉	卤磷酸钙荧光粉	—	10
荧光灯和灯用荧光粉	荧光粉	—	12
荧光灯和灯用荧光粉	荧光粉及其制造	—	13
荧光灯和灯用荧光粉	具有双层荧光粉涂层的荧光灯	—	15
显示器和显示器用荧光粉	阴极射线管用发白光的荧光粉	—	16
显示器和显示器用荧光粉	绿色发光材料及其制法	—	21
显示器和显示器用荧光粉	荧光粉	—	22
显示器和显示器用荧光粉	Tb³⁺和Ce³⁺激活的稀土硅酸盐的发光	—	27
显示器和显示器用荧光粉	涂复正硼酸铟发光材料的阴极射线管	—	33
显示器和显示器用荧光粉	采用高亮度单晶柘榴石材料的可视显示系统	—	37
显示器和显示器用荧光粉	引示型彩色显像管	—	43
显示器和显示器用荧光粉	荧光粉及辐射图像存贮屏	—	46
显示器和显示器用荧光粉	以碱卤硅酸盐为基质的光致和/或阴极射线致变色材料	—	53
工艺方法	荧光屏的制作方法	—	61
工艺方法	微颗粒荧光材料的制备方法	—	63
工艺方法	发光材料的表面处理工艺	—	67
工艺方法	在玻璃平面或低压汞蒸汽放电灯中形成发光层的方法	—	69
索引	近期外文资料索引	—	—

发光快报 1988年第4期

分类	篇名	作者	页码
综述	锑化物MOCVD超薄层结构的生长	谢江峰	1
综述	近年来荧光灯发展动态	—	—
发光物理	电场引起的ZnSe/(Zn,Mn)Se超晶格中激子发光的移动	—	9
发光物理	ZnSe:Cu二极管内深能级电致发光的动力学	—	11
材料	显示用阴极射线发光材料概述	—	13
材料	用多源沉积方法制备Mn、Er、Nd、Sm等金属掺杂的ZnS薄膜的交流电致发光	—	15
材料	投影管用高亮度绿色发光粉	—	19
材料	卤磷酸钙荧光粉	—	25
材料	用电子束蒸发和射频磁溅射制备ZnS:Tb,F电致发光薄膜的差别	—	27
材料	ZnSe内Cu中心发光的偏振	—	30
器件	采用8×8矩阵开关的32路光学空间分配开关系统	—	32
器件	垂直GaAs/AlGaAs λ/2多层腔的面发射激光器	—	33
器件	用MBE方法在GaAs衬底上生长偏离(111)B面0.5°的高质量量子阱激光器	—	34
技术	经UV光照射的Zn₁₋ₓCdₓS发光粉的表面分析	—	38
技术	采用GaAs中间层用MOCVD技术在4英寸Si衬底上生长InP	—	40
技术	用密封超高真空系统对GaAs进行反应离子束蚀刻和表面清洁处理	—	41
技术	MBE法同质外延生长ZnS	—	45
技术	EL矩阵屏多引线新技术	—	47
技术	MOCVD GaAs₀.₉Sb₀.₁中的有序结构	—	48

发光快报 1988年第5期

分类	篇名	作者	页码
综述	用于光纤传感器的集成外差光学	—	1
综述	显示终端与人体健康	—	5
综述	大功率固体激光器	—	9
材料	三基色灯用荧光粉	—	13
材料	投影管用荧光体	—	15
材料	Tb³⁺和Eu³⁺掺杂的CaS薄膜的电致发光	—	19
材料	n型ZnSe晶体内等离激元—声子耦合模型的喇曼散射	—	21
器件	有机分散型EL灯	—	23
器件	长寿命有机分散型EL灯	—	26
器件	高反差低电压薄膜EL器件	—	28
器件	使用新型SrS荧光粉薄膜的白色EL器件	—	33
显示	实时自动立体扫描多平面三维显示系统	—	38
索引	近期外文资料索引	—	42

发光快报 1988年第6期

分类	篇名	作者	页码
综述	八十年代国外灯用荧光粉方面的发明活动	—	1
综述	Si、GaAs、InP异质外延技术的发展	袁佑荣	6
综述	五十年来荧光灯用荧光粉的发展	—	9
材料	用I-VI族化合物薄膜异质结作太阳能电池的窗口	—	13
材料	HgTe-CdTe超晶格的光学和电学特性	—	16
材料	光助分子束外延生长I-VI族薄膜和超晶格的特性	—	18
器件	高压集成电路驱动的拼接式塑料交流电致发光大屏幕存储显示器	叶如华、孟宪信	22
器件	大屏幕等离子体显示器	—	25
器件	ZnS:Mn电致发光器件中掺杂剂系统的受激态相互作用	—	30
器件	采用锰扩散和共蒸发法制备的ZnS:Mn交流电致发光薄膜器件间的比较	—	33
器件	垂直非线性耦合器全光调制	—	35
资料	荧光灯发展大事年表	—	41

发光快报 1989年第1、2期

分类	篇名	作者	页码
综述	固体发光在照明技术上的应用	唐明道	1
器件	电致发光新光源在暗室照明和曝光中的应用	—	50

发光快报 1989年第3期

分类	篇名	作者	页码
综述	LB薄膜技术及其应用	李亚君、庞晓敏、华玉林	1
综述	可调谐彩色电致发光屏	—	5
材料	采用新型锰源用MOCVD技术制备ZnS:Mn电致发光层	—	12
材料	采用绝缘介电陶瓷片的低压驱动ZnS:Mn薄膜电致发光器件	—	16
材料	控制真空条件并添加硫使蓝—绿光电致发光器件的亮度改进	—	19
材料	单晶和多晶ZnS:Mn EL器件击穿现象的研究	—	22
材料	MOVPE生长的GaN中有关Zn的EL特性	—	25
材料	ACEL显示器用的黑色Pr-Mn氧化物介电材料	—	27
技术	塑料电致发光屏的不同封装工艺及电极对老化的影响	—	29
器件	面发射型InGaAsP/InP发光二极管的均匀衰减	—	31
器件	用简单的两步工艺制备ZnTe薄膜	—	36
器件	含Bi₂O₃化合物的发光	—	39
器件	发光材料发展近况	—	43
器件	小粒径荧光粉的电致发光特性	—	44
器件	具有CRT影象质量的双层液晶显示器	—	47
消息	国产QJD-9型N₂激光器调试中的几个技术问题	—	47
消息	夏普公司开发出14英寸薄膜晶体管彩色液晶显示器	—	49
消息	冲电气公司开发出在Si晶片上生长InP结晶的技术	—	49

发光快报 1989年第4期

分类	篇名	作者	页码
综述	电致发光薄膜制备技术的评述	—	1
材料	改进ZnS:Mn ACTFEL器件的稳定性	—	6
材料	在低压卤素输运系统中ZnS:Mn电致发光薄膜的化学气相沉积	—	8
器件	采用CaS:Se:Eu发光层红色EL器件的特性	—	12
器件	稳定的白色SrS:Ce,K,Eu薄膜电致发光	—	15
器件	具有溅射SrS:Ce薄膜的蓝绿色TFEL器件	—	18
器件	户外使用的高分辨率、高亮度彩色视频显示器	—	—
器件	汽车用中央信息显示器的研究	—	23
器件	用原子层外延技术生长异质结器件	—	26
器件	用MOVPE法制备高性能InP基质光电器件	—	29
消息	专利选报	—	33

发光快报 1989年第5期

分类	篇名	作者	页码
综述	分子束外延特性及目前的状态	—	1
综述	扁平阴极射线管	—	9
综述	光学非线性中的半导体微晶材料	—	9
综述	发光在农业中的应用研究	—	—
器件	电视显示器用的20英寸彩色直流气体放电屏	—	18
器件	4.3英寸有源矩阵型电视/视频应用全色液晶显示器	—	24
器件	电致发光显示器	—	30
器件	掺杂的有机薄膜的电致发光	—	38
器件	640×400绿色发光TFEL显示器	—	38
器件	InAsSb应力层超晶格长波红外光电探测器	—	39
器件	大型显示器树脂模盘型SHF混频用砷化镓肖特基二极管	—	43
技术	高分辩率发光屏具有干涉滤光片和发蓝光荧光粉的投影阴极射线管	—	45
技术	EL寻址技术	—	—
技术	荧光光源光学效率的测量	—	—
消息	显示器件的最新开发动向	—	55

发光快报 1989年第6期

分类	篇名	作者	页码
综述	生物发光与应用	唐树延	1
综述	全色液晶显示器的进展	—	7
综述	荧光显示管(VFD)的研究动向	—	9
材料	I-VI族材料ZnS:Eu中的稀土离子	—	13
材料	采用MOCVD法在垂直、高速、旋转的圆盘反应器内在GaAs上多片生长CdTe	—	18
材料	用离子束溅射法沉积铝掺杂氧化锌薄膜	—	20
材料	硅酸铅玻璃中Tb和Tm间的能量传递	—	23
材料	在GaAs衬底上用MBE和MEE方法生长的ZnSe膜的对比研究	—	25
器件	用SiO₂/Ta₂O₅/SiO₂做绝缘层的高性能ZnS:Mn电致发光器件	—	30
器件	薄膜电致发光显示器	—	31
器件	袖珍计算机上使用的等离子体显示器	—	34
器件	光助素在农业生产上应用研究	—	37
器件	液晶显示技术	—	41
器件	等离子体技术	—	45
消息	消息	—	47

1990年第1—2期

文章类型	题目	作者	页码
综述	三基色发光材料的最近进展	—	1
综述	小型荧光灯用绿色荧光粉	—	9
发光材料	铕激活硅酸钇绿色发光材料的制备	—	14
发光材料	正磷酸盐绿色发光材料	—	16
发光材料	发光层	—	20
发光材料	高显色性灯用发光材料	—	23
发光材料	新型绿色发光材料的制备	—	90
发光材料	磷酸盐绿色发光材料	—	91
发光材料	硼酸盐绿色发光材料	—	92
发光材料	一种代替Y2O3:Eu的红色材料—Eu3+激活的硅酸盐	—	25
发光材料	红色发光材料	—	93
发光材料	钒磷酸钇发光材料	—	94
发光材料	铈激活磷酸钇发光材料的制造	—	27
综述	荧光灯用发光材料及其荧光灯	—	29
发光材料	铕、锂共激活的卤硼酸盐荧光粉及荧光灯	—	34
发光材料	大粒径硅酸钙荧光粉及其制备工艺	—	39
工艺	水基悬浮液荧光粉预处理工艺	—	41
工艺	玻管外涂复紫外线吸收膜的荧光灯	—	44
发光材料	CRT用红色发光材料	—	49
发光材料	改进的红色发光材料	—	50
发光材料	改进的Eu激活氧化钇发光材料	—	52
发光材料	含正硼酸铟阴极射线发光管	—	54
发光材料	彩色CRT用绿色发光材料	—	57
发光材料	掺铈或铒的绿色发光材料	—	58
发光材料	投影管用绿色发光材料	—	95
发光材料	三价铥激活的镧镓酸盐及阴极射线管	—	61
材料	用溶液—凝胶法制备发光薄膜	—	65
器件	薄膜EL器件	—	68
工艺	防老化的电致发光灯及荧光粉	—	69
工艺	用加光敏固化剂的方法制备电致发光屏及绝缘层	—	71
器件	SiC等薄膜发光器件的制备工艺	—	76
材料	用于x射线照相的光致发光材料	—	81
材料	x-光增感屏用发光材料	—	85
材料	复合氧化物发光材料及其制作方法	—	87
综述	灯用稀土三基色发光材料的最近进展	唐明道、罗唏	—

发光快报 1990年第3期

分类	篇名	作者	页码
综述	直流粉末电致发光显示器的发展	—	1
综述	有机薄膜EL器件及其发光特性的研究	—	6
综述	电致发光显示器CRT将继续发展	—	9
工作报告	聚对苯撑光致发光的猝灭	—	12
工作报告	光转换及其它光控农用大棚薄膜	—	14
技术	ZnS:Mn DCEL粉末荧光粉包铜的研究	—	15
技术	荧光灯的氧化铝反射层	—	22
技术	在GaAs(100)、ZnSe(110)衬底上VPE生长ZnSe薄膜	—	25
技术	先进技术—薄膜CRT用荧光粉	—	28
材料	分子束外延生长掺铒GaAs和GaAlAs的1.54μm室温电致发光	—	31
器件	液晶显示用电致发光背照光	—	33
器件	DCEL崭露头角	—	36
器件	户外大屏幕显示器用高亮度、颜色可变的发光器件	—	38
器件	平板显示器用全互补高压驱动器集成电路	—	42
器件	低压汞蒸气放电灯	—	45
器件	接近太阳光紫外光谱的荧光灯	—	45
器件	由硫化锌和硒化锌光电开关构成的扫描驱动电路可用于条纹相机	—	46
器件	日立制作所开发出世界最高速的半导体激光器	—	47

发光快报 1990年第4期

分类	篇名	作者	页码
综述	介质光波导器件的最近动向	李玉善	1
综述	量子阱在光电子学方面的应用	—	5
工作报告	ZnSe体单晶的一级和二级拉曼散射	—	12
工作报告	稀土Yb掺杂InP液相外延的研究	—	14
技术	聚联乙炔的光学非线性	—	14
技术	硅衬底上二氧化硅基波导的光学互连	—	15
技术	p-InSb异质外延层在交叉电场和磁场下的发光	—	19
技术	分子束外延生长ZnSe p-n结的蓝色电致发光	—	20
技术	半导体的飞秒脉冲探测技术	—	24
技术	分子束外延生长轻掺杂SiGaAs的光致发光	—	30
材料	用分子束外延在Si(100)衬底上生长CdTe和HgCdTe	—	33
材料	用于集成光学的联乙炔L-B薄膜	—	36
器件	一种高速Ti:LiNbO₃ 1.5微米波长4×4集成光学开关	—	39
器件	质子交换LiNbO₃低损耗高消光偏振器	—	42
器件	在硅上生长的锗硅单晶层光波导	—	44
器件	用MOCVD法制作GaAs太阳能电池	—	46
器件	高效GaAlAs LED	—	48
器件	高功率、宽带1.5μm高亮度InGaAsP发光二极管	—	52
器件	高速Ga₀.₄₇In₀.₅₃As MISIM光探测器	—	54
器件	无定形硅薄膜晶体管有源矩阵寻址液晶显示器	—	56
器件	1.5μm斜坡掩埋异质结InGaAsP/InP激光器	—	62

发光快报 1990年第5期

分类	篇名	作者	页码
综述	AC和DC电致发光显示器	—	1
综述	日本平板显示器的进展	—	12
综述	平板显示器的现状	—	17
综述	显示器概论	—	20
EL显示器	TFEL器件制作技术的比较	—	21
EL显示器	EL显示器	—	24
EL显示器	ACTFEL显示器模型	—	27
EL显示器	原子层外延生长的发绿光TFEL器件	—	31
EL显示器	TFEL显示器的制作	—	33
EL显示器	高亮度、长寿命白色发光SrS:Ce,K,Eu TFEL器件及其与滤光片组合在全色EL上的应用	—	35
EL显示器	卤素输运CVD法形成的ZnS:Mn TFEL显示技术的开发	—	41
EL显示器	TFEL显示器灰度级的提高	—	44
EL显示器	ZnS:Mn,Cu荧光粉DCEL特性的改进	—	46
EL显示器	等离子体和电致发光显示—效率的竞争	—	47
简讯	JYM-1型激光荧光免疫分析仪在合肥通过鉴定	—	53
工作报告	电致发光新光源在暗室照明和曝光中的应用	—	50

发光快报 1990年第6期

分类	篇名	作者	页码
工作报告	粮食增产与高光能利用	唐树延、马英忠	1
工作报告	叶绿素ALB膜的光电特性	—	3
工作报告	助光素稀土在蔬菜上的试验	—	4
工作报告	磁场对ZnS薄膜电致发光的影响	—	5
工作报告	电场对ZnSe/ZnS应变层超晶格的影响	—	7
工作报告	ZnS:Tb³⁺薄膜的电致发光	—	9
工作报告	ZnS中与稀土离子有关的深能级	—	12
工作报告	铜和氟激活的CaS荧光粉的发光特性	—	14
技术	MOCVD生长ZnS薄膜中Na受主的鉴别及紫外光辐照的作用	—	16
技术	ZnS的MBE光助同质外延生长	—	20
技术	MOVPE生长ZnSe的导电性控制及其在蓝色电致发光中的应用	—	22
显示器件	显示用阴极射线管	—	25
显示器件	利用由铁电液晶控制蓝色光源的全色LED显示器	—	26
显示器件	发光二极管及其应用	—	29
显示器件	液晶显示器	—	33
显示器件	液晶显示用背照明	—	37
显示器件	大型显示装置	—	42
显示器件	荧光显示管	—	45
显示器件	三维显示器	—	48

1991年第1期

文章类型	题目	作者	页码
综述	卤磷酸钙荧光粉在紧凑型荧光灯中应用的几个问题	唐明道	1
综述	近年来发光材料进展概况	—	5
综述	荧光显示管的最新动向	—	6
工作报告	用于彩色交流等离子显示器件的气体放电研究	—	8
研究工作	掺钠对CaS:Ce荧光体的光致发光和粒子形状的影响	—	10
研究工作	ZnS和ZnSe中锰的激发态吸收	—	12
研究工作	ZnSe-ZnS应变层超晶格的激子发光和强激发效应	—	15
研究工作	II-VI族化合物中稀土元素的非线性光学激发过程	—	18
类ZnS碱土硫化物的电致发光	—	21	—
器件	叠层绝缘结构薄膜电致发光显示器件	—	23
器件	CaS和SrS薄膜电致发光器件	—	26
器件	磷酸氢双氧铀薄层固体电致发光盒	—	30
器件	ZnSe发光二极管	—	32
器件	用有机电致发光二极管与a-SiC:H膜组合制作空间寻址光变换器	—	35
器件	用反应离子束蚀刻制备1.3μm…	—	—
技术	光助OMVPE法生长ZnSe的发光和电学特性	—	41
显示器	交流刷新等离子体显示器的灰度级技术	—	43
消息	彩色交流等离子体大屏幕显示器的研制	—	46

1991年第2期

文章类型	题目	作者	页码
综述	近期荧光粉发展概况	—	1
综述	液晶显示的现状及发展动向	—	2
综述	蓝色发光二极管的进展	—	7
综述	高清晰度电视的技术进展	—	13
综述	高清晰度显示器用荧光粉的进展及存在的问题	—	17
工作报告	电致发光中的碰撞过程	—	20
研究工作	氟化物晶体中二价钇离子的光导和荧光特性	—	22
工作报告	与实用光源有关的化学发光机理研究	—	24
研究工作	光辐射对人体和生物的作用及影响	—	28
材料与器件	用低压MOCVD技术在Si衬底上一步生长GaAs层	—	30
材料与器件	常压有机金属汽相外延GaAs的选择生长	—	32
材料与器件	用MOMBE法生长碳重掺杂p型GaAsPN结二极管	—	33
材料与器件	采用β-氧化铝固体离子导体的极限电流型气体传感器	—	36
显示器	平板显示器在高清晰度电视上的应用	—	38
显示器	液晶彩色电视显示器的模拟	—	43
显示器	用于高清晰度电视的电致发光显示器	—	46
资料	日本各显示器件生产公司情况简介	—	51

1991年第3期

文章类型	题目	作者	页码
综述	近年来固体发光器件发展动态	—	1
综述	荧光灯和阴极射线管用荧光粉的最新发展	—	2
综述	大面积多晶硅太阳能电池的技术进展	—	8
研究工作	固体表面发光分析法	—	12
研究工作	分子发光动态测定和化学及生物发光	—	14
研究工作	拉曼光谱学研究固体和薄膜方面的进展	—	15
研究工作	ZnS薄膜中Mn中心的发光衰减	—	17
材料与器件	x射线影像存储和再现用发光材料	—	20
材料与器件	Eu2+激活硅酸钡镁荧光粉的改进与特性	—	24
材料与器件	水热法制备铝酸锶中Eu2+的发光	—	29
材料与器件	OMVPE生长高质量AlxGa1-xAs	—	33
研究工作	宽带半导体InGaN的生长及特性	—	35
器件	用液相外延技术制备单异质结AlGaAs/InGaP红色发光LED	—	38
器件	金属/半导体多聚物肖特基器件	—	41
显示器	17英寸交流等离子体彩色视频监视器	—	42
专利	近年来固体发光器件发展动态(专利选报)	—	—

1991年第4期

文章类型	题目	作者	页码
工作报告	CdS单晶的激子发射与激光	杨宝均、田华、李维志、吕有明	1
工作报告	助熔剂对ACEL发光材料粒度及发光特性的影响	孙焕英等	1
荧光粉	GaAs超薄层腐蚀与非线性光学器件制作	朴友植等	4
荧光粉	MNA/PMMA薄膜光波导	邢汝冰等	7
荧光粉	C波段激发下Tb激活荧光粉的饱和效应	—	—
荧光粉	掺Tb荧光粉的激发态吸收 Ⅱ被激发的激活剂场中的上转换过程	—	19
显示器	50英寸背投影HDTV显示器及自动会聚校正	—	27
显示器	显示器的最新进展	—	29
SID专题报导	EL显示器	—	—
显示器	采用薄膜滤光片的高亮度红色发光EL器件	—	31
器件	用连续沉积MOCVD技术制备的5英寸ZnS:Mn TFEL屏	—	33
显示器	具有黑色矩阵滤光片的高亮度多色EL显示屏	—	36
显示器	具有图形结构的9.3英寸多色TFEL显示屏	—	38
显示器	高水平光、声发射EL显示屏	—	41
器件	用硫属化合物玻璃作为电流控制层的高对比度、高稳定性的ZnS:Mn薄膜显示器	—	43
显示器	改进制备工艺提高ZnS:Mn ACTFEL器件的稳定性	—	45
显示器	采用氧化物荧光粉发光层的高亮度多色TFEL器件	—	47
显示器	采用SrS:Ce的蓝光发射TFEL器件	—	49
显示器	一种白色EL器件与电沉积滤光片叠层结构的全色EL显示器	—	51
显示器	低功率薄膜电致发光显示器	—	53
工作报告	直流薄膜粉末混合EL中软化现象的研究与模型	—	57
工作报告	ZnS:Mn ACTFEL的电学性能	—	60

发光快报 1992年第1期

分类	篇名	作者	页码
工作报告	灯用发光材料的表面、界面问题	唐明道	1
工作报告	ZnS:Mn交流电致发光薄膜老化机理的新观点	—	5
工作报告	交流薄膜电致发光器件的电容—电压特性	—	7
工作报告	稀土掺杂碱土硫化物电致发光薄膜中的光诱导传输电荷	—	9
工作报告	CaSO₄:Eu荧光粉中Eu的作用	—	12
综述	LED的现状与展望	—	17
材料与器件	用MBE技术在Se钝化(100)GaAs表面上再生长高质量ZnSe外延层	—	20
材料与器件	用低压MOVPE技术在n⁺-GaAs衬底上制备ZnS-MnS蓝色发光二极管	—	24
材料与器件	用MOVPE技术以高V/II比在Si衬底上二维生长GaP	—	29
材料与器件	掩埋异质结GaInAs/AlGaInAs量子阱二极管的腐蚀新技术	—	31
材料与器件	Ga₀.₅In₀.₅P合金材料的高压光致发光研究	—	33
材料与器件	蓝绿激光二极管	—	35
显示技术	高清晰度电视用CRTs的新屏蔽方法	—	36
显示技术	高清晰度电视投影器用1.5兆象素a-Si TFT-LCD模型	—	38
显示技术	采用1.5×10⁶个象素a-Si TFT LC模件的高分辨率投影机	—	43
显示技术	日光下可读的交流等离子体显示器	—	46
消息	前景光明的低成本电致发光显示器	—	48
消息	LCD市场展望	—	50

发光快报 1992年第3期

分类	篇名	作者	页码
综述	场效应生物技术在农业中的应用（上）	唐树延	1
消息	1992国际信息显示会议概况	罗晞	9
工作报告	多层有机薄膜的电致发光机理	—	12
工作报告	Y₂O₂S荧光粉的亮度饱和机理	—	18
工作报告	MgS、CaS、SrS、BaS中Cu⁺中心的光致发光特性	—	21
工作报告	ZnS:Ag,Al荧光粉的温度猝灭与激发条件的关系	—	28
器件与技术	高灵敏度互阻抗InGaAs/InP单片PIN场效应晶体管集成电路	—	31
器件与技术	CMD图像传感器	—	35
器件与技术	高功率GaN p-n结蓝色发光二极管	—	40
器件与技术	宽带隙半导体GaN的快速反应原子束蚀剂	—	44
显示器	微型虚拟显示器	—	46
显示器	具有高色纯度绿色荧光粉的彩色显示管	—	50
消息	国际照明委员会简介	—	53

1992年第4期

文章类型	题目	作者	页码
综述	场效应生物技术在农业中的应用(下)	唐树延	1
工作报告	物理因子作用下抗性酶SOD酶促反应动力学与光谱研究	王庆业、唐树延	10
SID专题报道	电致发光	—	—
器件	用新型ZnS/SrS:Ce多层荧光粉的ACTFEL器件	—	15
显示器	具有Zn2SiO4:Mn发射层的高亮度绿色发光TFEL器件	—	18
显示器	9英寸高对比度多色TFEL显示器	—	20
显示器	a-Si TFTs驱动TFEL显示器的制备	—	24
器件	用ZnS:TbOF有源层的绿色发光直流薄膜/粉末混合EL屏	—	27
器件	ZnS:Mn交流电致发光器的电学特性和模型	—	31
显示器	采用溅射ZnS:TbOF的高效绿色TFEL	—	34
器件	ZnS:Mn溅射膜EL特性与器件结构和后退火的关系	—	38
综述	彩色电致发光材料的掺杂剂	—	41
HDTV技术	HDTV用高亮度彩色显示器	—	43

发光快报 1992年第6期

分类	篇名	作者	页码
综述	如何确定CRT的图象质量及系统性能	—	1
综述	对显示器市场与技术发展的评价	—	7
器件	大有前途的液晶显示器	—	13
器件	新型平板显示器在计算机上的应用	—	16
器件	掺分子多聚物的有机EL器件	—	19
器件	蒽掺杂对8—羟基喹啉铝EL器件电学和发光特性的影响	—	21
器件	几种蓝色发光薄膜电致发光器件	—	23
荧光粉	新型荧光粉金属系统	—	26
荧光粉	Ce-Mn共激活的铝酸盐荧光粉	—	28
荧光粉	视频显示器用红色发光CaS荧光粉	—	29
荧光粉	采用表面涂复方法改善ZnCdS荧光粉	—	31
荧光粉	铒掺杂氧化钆荧光粉的阴极射线发光	—	34
技术	交流等离子体显示器的荧光粉沉积技术	—	36
技术	和并苝四苯掺杂蒽膜的电致发光	—	38
技术	采用多源沉积技术制备SrS:CeCl EL器件的无辐射区	—	41
技术	如何测量和确定LCD的光学特性	—	43
技术	大屏幕CRT的新应用	—	55

—— 1993年第1、2期（合刊） ——

本期责任编辑：师庆华

分类	篇名	页码
▎综述
	灯用稀土蓝色荧光粉研究应用的几个问题	（1）
	发光材料和器件的现状	（5）
	近年来光源的发展动态	（9）
▎工作报告
	多孔硅的光电压滞后衰减现象	（11）
	室温下应变Si₁₋ₓGeₓ/Si量子阱的1.3μm电致发光	（12）
	多聚物二极管中电致发光的时间分辨脉冲响应	（15）
	双极共振隧穿二极管的电致发光	（18）
	p-ZnTe/ZnS掺杂超晶格的电致发光	（20）
▎器件
	发射式平板显示器	（22）
	可以稳定工作的AlGaAs/GaAs发光二极管	（25）
	缓变间隙a-SiC:H p-i-n薄膜发光二极管	（27）
	采用a-Si TFT的高分辨率6英寸LCD	（30）
▎技术
	背照明液晶显示器的光分布技术	（35）
	InP单晶薄膜的制备和吸收测量	（38）
	利用光激励发光方法确定KBr-In晶体中F心的振子强度	（41）
	OMVPE生长InP:Zn/InGaAs:InP p-i-n双异质结中的Zn掺杂	（45）
▎荧光粉
	荧光粉的表面特性与制灯涂管特性	（48）
	红色发光CaS:Eu,Mn荧光粉的阴极射线发光特性和能量传递	（51）
▎其它
	SrS和SrSe中Sb³⁺中心的光致发光	（56）
	液相外延生长Al₀.₂₈Ga₀.₇₂As₀.₆₂P₀.₃₈的发光特性	（63）

1993年第3期

文章类型	题目	作者	页码
综述	日本平板显示器现状	—	1
综述	色性的提高在于蓝色荧光粉的改进	—	7
综述	钽酸铈系列荧光粉的发光及其电学特性	—	10
研究工作	Y2O2S荧光体的亮度饱和机制	—	14
研究工作	锂共掺杂ZnS:Tm荧光粉的光致发光	—	18
器件	ZnS:Ag,Cl薄膜的蓝色电致发光	—	21
器件	带滤光片的ZnS:TbF3/ZnS:Mn双色可调EL器件	—	24
器件	用H2S和金属Sr多源沉积方法制备SrS:CeCl3 TFEL器件的特性	—	29
显示器	发光二极管，亮度不断提高	—	34
研究工作	室温下ZnSe蓝色发光的衰减时间	—	38
器件	p型N掺杂ZnSe外延层的生长新技术	—	40
器件	有机电致发光二极管中的膜边发射	—	42
显示器	CdSe TFTs与有源矩阵LCDs	—	45
显示器	大屏幕投影显示器	—	47
显示器	多通路平面荧光灯的电光特性	—	50
显示器	液晶显示器的光学特性测量	—	54
专利	专利消息	—	58
专利	液晶显示的漫射/准直透镜阵列	—	58
专利	对比度改进的液晶显示系统	—	58
专利	荧光灯的照明装置	—	59

1993年第4期

文章类型	题目	作者	页码
综述	显示器简况	—	1
显示器	具有256个灰度级的全色交流等离子体显示器	—	3
综述	LCD背照明用平板荧光灯的发展与制作	—	7
综述	紧凑型荧光灯的高温特性	—	9
综述	减小照明角的平板荧光灯背照明：热力学限制的背照明光学	—	14
研究工作	Er3+掺杂氯化物的红外—可见上转换	—	19
器件	用萘二甲基亚胺衍生物掺杂的有机EL LED的发光特性	—	21
器件	重掺杂多孔硅同质p-n结LED的可见光发射	—	25
器件	阴极偏压下多孔硅的有效可见电致发光	—	27
工作报告	交流薄膜电致发光器件内部电荷与电场的特性	—	30
综述	发光二极管的应用	—	31
显示器	四十英寸超薄型PDP壁挂电视	—	32
研究工作	杂质对(La,Ce,Tb)PO4发光量子效率的影响	—	33
发光材料	MB2S4硫化物荧光粉的光致发光	—	41
综述	几种高新技术简介	—	47
专利	专利及产品信息	—	50

1993年第5期

文章类型	题目	作者	页码
综述	各种平板显示技术的现状与发展前景	—	—
工作报告	分散多聚物液晶膜中折射指数梯度和光散射	—	11
工作报告	GaP(100)衬底上InGa1-xP的气体源分子束外延生长特性及其LCD应用	—	14
器件	在GaAs上生长纯ZnSe薄膜的光学特性	—	17
器件	在GaN薄膜上生长Si掺杂InGaN薄膜	—	20
研究工作	CaO:Eu粉末荧光粉中共存的Eu2+和Eu3+中心	—	23
显示器	具有灰度级的双畴80°扭曲向列液晶显示器	—	29
显示器	新型双面真空荧光显示器	—	33
电致发光	Al-CuGaS2二极管的直流绿色电致发光	—	36
电致发光	氧共掺杂ZnS:TmF3和ZnS:Tm,Li薄膜器件的电致发光	—	39
器件	基于大的非线性相移的全光开关器件	—	42
发光二极管	高功率InGaN/GaN双异质结构的紫色发光二极管	—	45
新技术	新技术——令人振奋的时代	—	48
新技术	LCD新技术为下一代产品铺平道路	—	49

1993年第6期

文章类型	题目	作者	页码
器件	制备CaS:Eu直流电致发光材料的新工艺	罗晞、李定芳	1
器件	氧气氛中制备的ZnS1-xTex:CeF3薄膜器件的电致发光	—	3
器件	绝缘层和有源层对ZnS:TbF3薄膜EL器件的影响	—	7
电致发光	聚氧金属电致发光元件(EuW12O40分散层的脉冲电场诱导发光	—	10
电致发光	Alq3和TPD的制备和特性及其在电致发光二极管上的应用	—	16
液晶	采用聚酰亚胺L-B膜的向列液晶取向	—	18
液晶	液晶取向膜的有效分子排列	—	21
器件	GaAs衬底上低温生长ZnSe薄膜的特性	—	22
器件	汽相外延ZnSe薄膜的特性	—	23
光致发光	CuAlSe2掺Cd的光致发光	—	26
光致发光	用低压金属有机化学汽相沉积法生长Zn掺杂CuAlSe2外延层的2.51eV光致发光	—	28
器件	采用GaAs/AlGaAs和应变InGaAs/AlGaAs多量子阱的双色红外光探测器	—	30
器件	应变InGaAs/(Al)GaAs多量子阱中的载流子寿命	—	33
器件	p-InGaAsP/p-GaAs异质结的电流—电压特性	—	36
器件	GaAs/AlGaAs量子阱结构中束缚连续态的红外吸收的理论分析	—	40
发光	Ce激活SrCl2单晶的发射光谱	—	45
器件	在Si(100)衬底上用反应溅射制备TiN膜层的晶体结构	—	48
器件	氘退火对SiO2/Si(100)界面陷阱的影响以及超薄膜SiO2的电子自旋共振	—	50
器件	用n-i-p-i掺杂超晶格制备的高增益低功率(双稳)光电阈值开关	—	52
器件	用电子反射涂层改善CRT中阴罩的错位	—	55

发光快报 1994年第1期

分类	篇名	作者	页码
综述	灯用稀土三基色和多基色荧光粉的最新进展和动向	唐明道、罗晞	1
工作报告	杜仲胶的激光喇曼光谱研究	赵瑾、唐树延、陈淑良	8
工作报告	与窄光谱带吸收体耦合的注入激光二极管的三稳态工作	—	11
工作报告	用电子显微镜和X射线衍射研究InGaAs/GaAs超晶格中的应变分离	—	13
工作报告	I-VI族薄膜中发光中心精细结构的研究	—	18
材料	n型(Te)掺杂金属有机汽相外延GaInSb的生长及特性	—	—
材料	橙黄到红色发射Ca₁₋ₓMgₓS:Mn荧光粉的合成与阴极射线发光	—	27
材料	用于大屏幕等离子体电视的绿色荧光粉	—	31
器件	蓝/绿激光二极管与发光二极管	—	35
器件	MOVPE生长的大面积高均匀性AlGaAs/GaAs HEMT LSIs	—	38
器件	大芯角铁电液晶强锚定表面的对称开关	—	45
器件	染料掺杂多聚物波导的双光子泵浦上转换激光过程	—	47
器件	高灵敏红外—可见转换器	—	50
器件	高频工作的荧光灯	—	52

发光快报 1994年第2期

分类	篇名	作者	页码
电致发光器件与材料	粉末直流电致发光显示器件的电流传输和老化	—	1
电致发光器件与材料	ZnS ACTFEL器件中的热电子发光	—	6
电致发光器件与材料	用于交流厚膜粉末EL器件的ZnS-Cu,Cl荧光粉的发射光谱分析	—	9
电致发光器件与材料	全色电致发光器件的离子注入	—	13
电致发光器件与材料	碱土硫化物TFEL器件的老化机理	—	15
电致发光器件与材料	ZnS:Mn ACTFEL显示器件中体陷阱和热电子输运因数作用的分析	—	19
电致发光器件与材料	用于全色EL的ZnS:Mn/SrS:Ce多层器件	—	22
电致发光器件与材料	ZnS型材料电致发光的分析	—	26
电致发光器件与材料	原子层外延生长ZnS:Mn ACTFEL器件的电学特性	—	29
电致发光器件与材料	ZnS:Mn ACTFEL存储器件的分析	—	31
电致发光器件与材料	用于VGA全色显示器的新型蓝色TFEL荧光粉	—	35
电致发光器件与材料	p-型ZnSe:N薄膜的电学特性	—	39
显示器	金刚石薄膜的场发射显示器	—	42
显示器	40英寸对角线HDTV等离子体显示器	—	43
显示器	高清晰度30英寸全色交流等离子体视频显示器	—	48
显示器	发射式平板显示器	—	50
其它	光助素增产新技术	陈淑良、唐树延	51
其它	用于视频形貌测量的高灵敏度X射线显像管的特性	—	55

发光快报 1994年第3期

分类	篇名	作者	页码
发光二极管	外量子效率达30%的表面织构薄膜发光二极管	—	1
发光二极管	多孔硅发光二极管及其电致发光效率的提高	—	4
发光二极管	有机薄膜电致发光二极管发射特性的控制	—	7
发光二极管	分子束外延生长氮掺杂p型ZnSe中的深空穴陷阱	—	9
发光二极管	ZnSe与ZnTe中的受主掺杂	—	—
发光二极管	ZnSe量子阱线结构的光致发光	—	—
发光二极管	金属有机气相外延生长氢化GaAs/AlGaAs量子阱的光致发光	—	18
平板显示器及其驱动方法	高效率ZnS:Mn ACTFEL器件结构	—	21
平板显示器及其驱动方法	原子层外延AC ZnS:Mn TFEL的老化对驰豫发光的影响	—	23
平板显示器及其驱动方法	A-1:Ⅵ₃三元化合物：彩色TFEL显示器的新基质材料	—	—
平板显示器及其驱动方法	利用陶瓷拼接技术实现TFEL显示器的有源驱动	—	28
平板显示器及其驱动方法	交流薄膜电致发光显示器的电荷调制灰度级方法	—	32
平板显示器及其驱动方法	640×480高分辨率彩色交流等离子体显示器	—	37
平板显示器及其驱动方法	采用金属—绝缘体—金属发射体阵列的平板显示器	—	40
CRT显示器	CRT投影显示器	—	44
CRT显示器	用超细颗粒为CRT制备的新型抗静电、防反射涂层	—	47

发光快报 1994年第5期

分类	篇名	作者	页码
综述	日本荧光体同学会第250次纪念报告会综述报告	陈洪国	1
综述	日本发光材料研究的历史与展望	—	—
综述	灯用荧光粉的最新进展和展望	—	7
工作报告	InP中Ge的两性置换和晶格畸变	—	11
工作报告	工艺条件对ZnO点缺陷和发光中心的影响	—	12
工作报告	Mn²⁺浓度对Zn₂SiO₄:Mn荧光粉光学性质的影响	—	16
工作报告	紫外辐照SrO粉末的磷光和热释发光	—	21
材料与器件	采用溶胶—凝胶新工艺制备荧光粉	—	28
材料与器件	高亮度绿色荧光粉YAG:Tb的合成与颗粒生长机理	—	35
材料与器件	用平行边缘场技术制备的双畴TN-LCD	—	40
材料与器件	采用三种荧光染料掺杂聚(N乙烯咔唑)发射层的白光发射有机电致发光器件	—	44
材料与器件	用多源沉积法制备的(Y₂O₂S:Tb/ZnS)ₙ多层荧光粉薄膜电致发光器件	—	46
消息	第七届国际电致发光会议在京召开	—	51

发光快报 1994年第6期

分类	篇名	作者	页码
工作报告	用彩色亮度计测量电致发光粉	王志军、刘玉梅、孙玉琴	—
材料与器件	可改进荧光灯显色性的荧光粉混合物和涂层	—	2
材料与器件	LaPO₄:Tb,Ce系列荧光粉在254nm和365nm激发下发光特性的比较	—	5
材料与器件	Y₂O₂S荧光粉中Pr杂质对Tm³⁺蓝色发光的影响	—	11
材料与器件	ZnS:Tm的交流电致发光	—	16
材料与器件	非水溶液中多孔硅的电致发光和化学发光	—	21
材料与器件	氢注入和退火处理导致硅的可见发光	—	26
材料与器件	聚合碳层引起多孔硅光致发光光谱的红移	—	28
材料与器件	一种新型的非晶硅光转换器件	—	31
材料与器件	毫微晶硅薄膜的紫外和蓝光发射	—	33
材料与器件	金属有机汽相外延生长CuGa(S₀.₆₅Se₀.₃₅)₂/CuAl₀.₃Ga₀.₇(S₀.₆₅Se₀.₃₅)₂双异质结的光学泵浦受激发射	—	35
材料与器件	具有[001]台形条纹的衬底上生长的GaAs/AlAs量子阱线的阴极射线发光	—	38
材料与器件	GaAs:Er碰撞激发电致发光器件	—	42
材料与器件	采用Eu络合物作发射体的可控自发发射电致发光二极管	—	44
材料与器件	聚合物分散液晶膜与电致发光器件组合的平板显示器	—	48
材料与器件	直视和投影显示器用的聚酯薄膜补偿π和平行取向的液晶盒	—	50
材料与器件	用于LCD背照明的低压Ar-Hg放电的等离子体参数	—	53
材料与器件	超细颜料彩色滤光片对CRT亮度、对比度和色纯度的影响	—	56

发光快报 1995年第1期

分类	篇名	作者	页码
灯用荧光粉	灯用荧光粉的二次特性	—	1
工作报告	BaFCl:Eu²⁺光存储过程中的温度效应	—	5
工作报告	真空紫外荧光强度测试台	—	7
材料	CeCl₃掺杂Al₂O₃膜的蓝色光致发光	—	10
材料	铈激活碱土硫代镓酸盐薄膜和器件的电致发光和光致发光	—	14
器件	具有有效折射率波导结构的低电流自持脉冲GaAlAs激光二极管	—	21
器件	具有GaAs缓冲层的ZnCdSe/ZnSSe/ZnMgSSe SCH激光二极管	—	25
器件	室温下绿色上转换连续波Er:LiYF激光器	—	25
器件	p-型ZnSe电学接触的电流—电压特性	—	27
器件	Ga₂Se₃/ZnSe异质结分子束外延生长过程中ZnGa₂Se₄外延层的形成	—	31
器件	温度和入射束电流对高纯度CVD金刚石主要自由激子复合辐射的影响	—	35
器件	用于平板显示器矩阵的碳纤维阴极结构的制备方法	—	38
器件	双画面彩色电视机	—	40
器件	Si离子注入时半绝缘GaAs晶体中硼对其电活性的影响	—	43

发光快报 1995年第2期

分类	篇名	作者	页码
综述	显示器用荧光粉的特性	—	1
综述	平板显示器市场	—	5
研究报告	高温下杜仲胶的激光喇曼光谱研究	—	9
研究报告	阳极化处理微晶硅的紫色发光	—	14
研究报告	阳极氧化多孔硅的可见光致发光	—	16
研究报告	氟化聚喹啉的高效蓝色电致发光	—	20
研究报告	GaAs和AlₓGa₁₋ₓAs中的激光加热和光致发光	—	23
研究报告	用Li₃N扩散制备的高浓度P型掺杂ZnSe	—	27
研究报告	杂质对(Ce,Gd,Tb)MgB₅O₁₀灯用荧光粉发光量子效率的影响	—	29
研究报告	影响包铜直流EL荧光粉导电性的因素	—	39
研究报告	用或不用助熔剂制备的CaS中Ce⁺离子的局域环境	—	42
研究报告	GaN的低温外延生长和PL特性	—	46
研究报告	反应射频磁控溅射ZnS:Mn TFEL器件的激发和辐射效率	—	48

发光快报 1995年第3期

分类	篇名	作者	页码
综述	CdSe薄膜晶体管有源矩阵显示技术	叶如华	1
综述	ACTFEL高清晰度平板电视的发展	—	3
综述	全色等离子体平板显示器用发光材料	—	9
综述	场发射平板显示	—	13
综述	超分子金属有机配合物的光化学和光物理	—	20
综述	对荧光灯新型荧光体性能要求	—	27
综述	EL蓝色荧光体	—	29
工作报告	SrAl₂O₄:Eu²⁺中的杂质相及其对发光光谱的影响	—	30
工作报告	改进粉末直流电致发光(DCEL)器件形成过程的新方法	—	34
工作报告	使用多量子阱有源层InGaAlP可见发光二极管的发射特性	—	37
器件	温度特性改进的高输出功率3.9μm InAsSb/AlAsSb双质结二极管激光器	—	42
器件	HDTV用17cm高分辨率投影CRT	—	45
研究简报	化学汽相沉积金刚石的阴极射线发光和光致发光	—	51
研究简报	电子陷阱对InP中Yb³⁺的激发和去激发机理的作用	—	51
研究简报	表面微粗糙引起的Si/SiO₂界面态和中性氧化物陷阱	—	51
研究简报	衬底对半导体薄膜迁移特性的影响	—	52
研究简报	用金属有机化学汽相沉积方法在(100)GaAs面上生长的GaN薄膜的光致发光	—	52
研究简报	氢缺陷和空洞对多晶金刚石热导特性的影响	—	52
研究简报	高压合成和化学汽相沉积金刚石的阴极射线发光	—	53

发光快报 1995年第4期

分类	篇名	作者	页码
综述	国内外灯用稀土三基色荧光粉的剖析（一）稀土三基色荧光粉的进展	洪广言、关中素、刘书珍、唐明道、贾庆新、于宝贵、李有谟	1
综述	国内外灯用稀土三基色荧光粉的剖析（二）发光性能的测试和分析	—	4
综述	国内外灯用稀土三基色荧光粉的剖析（三）热稳定性的测试和分析	—	7
综述	国内外灯用稀土三基色荧光粉的剖析（四）稀土三基色荧光粉的结构分析	—	10
综述	国内外灯用稀土三基色荧光粉的剖析（五）粒度分析	—	15
综述	国内外灯用稀土三基色荧光粉的剖析（六）形貌分析	—	18
荧光粉	场发射显示器(FED)用发光材料	—	22
显示器	大屏幕彩色等离子体显示技术	—	26
显示器	高精度LED集成组件	—	30
显示器	挂壁电视展望对话	—	33
技术	直流电致发光器件在脉冲电压激发下光电特性的测量	—	34
技术	紫外辐射和紫外漫反射光谱校正及测量	—	37
技术	用射频磁控溅射技术制备高透明度和高导电性锡酸锌薄膜	—	43